台湾媒体报道，三星芯片业务总裁权五铉近日在台北媒体会议上表示，由于PC销售十分惨淡，DRAM市场将在三季度末出现供大于求的局面。

权五铉称，由于各大供应商都加大了基于高级工艺的DRAM产能，三季度的全球DRAM产能必然将会增长。如果PC销量继续萎靡，DRAM产能过剩的局面将会延续到明年一季度。

相比之下，三星对于NAND闪存市场更加乐观。他们认为NAND闪存价格下滑幅度较慢，并将在今年下半年趋于稳定。权五铉认为，NAND闪存不像DRAM那样与PC产品联系紧密，它更多的靠智能手机、平板机等移动产品来拉动销量，在新兴应用中增长。

三星将在今年晚些时候开始量产35nm DRAM颗粒，明年实现20nm级NAND芯片生产。

此外，三星今年用于内存和逻辑芯片上的投资将达到100亿美元，内存芯片扩产计划将按照原定时间表进行。三星目前正在投建用于DRAM、NAND和下一代存储产品的Line 16生产线，预计明年投产，月产12寸晶圆20万片。其Line 15生产线也将扩产，主要集中于DRAM芯片生产。